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2SK3147	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3147	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK3147	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3147L	文件：1.035599 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3147L	文件：398.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3147L	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK3147L-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3147S	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNCannelMOSFET Features Lowon-resistance RDS=0.1typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3147S	文件：1.01428 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3147S	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK3147S	文件：401.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3147STL-E	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3147STL-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK3147(L,S)	日立	TO-262263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	2SK3147-90STR	HITACHI	24+	TO263	5000	只做原装公司现货	询价
上海专毅电子科技有限公司	2SK3147-90STR	HITACHI	17+	TO263	9988	只做原装进口,自己库存	询价
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更多2SK3147(L)|2SK3147(S)供应商更新时间2024-6-11 8:58:00

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